반도체 장치의 퓨즈 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 리페어 공정시 언컷페일이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치의 퓨즈 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 소정간격 이격된 제1퓨즈패턴을 형성하는 단계; 상기 제1퓨즈패턴을 덮되, 상기 제1퓨즈패턴의 끝단을 노출시키는 오픈영역을 구비한 절연막을 형성하는 단계; 상기 오픈영역 내부에 상기 제1퓨즈패턴 사이를 연결하는 제2퓨즈패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 상기 제2퓨즈패턴을 노출시키는 퓨즈박스를 구비한 보호막을 형성하는 단계; 및 표면처리를 실시하여 상기 제2퓨즈패턴 표면에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조방법을 제공하며, 상술한 본 발명에 따르면, 표면처리를 통해 캡핑막을 형성함으로써, 캡핑막이 제2퓨즈패턴의 표면을 따라 일정한 두께로 형성되기 때문에 리페어 공정시 언컷페일이 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (1)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      KR-100871389-B1December 02, 2008주식회사 하이닉스반도체반도체 소자의 퓨즈 및 그의 형성방법

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle