반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Abstract

본 발명은 종래의 막종을 개질함으로써, 종래의 막질보다 뛰어난 막질을 실현하는 것이다. 기판을 수용한 처리 용기 내에 CVD반응이 발생하는 조건 하에서 제1원소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 수 원자층 이하의 제1원소를 포함하는 제1 층을 형성하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 상기 제1원소와는 다른 제2원소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 제1 층의 상기 제2원소를 포함하는 가스에 의한 개질 반응을 포화시키는 일 없이 상기 제1 층을 개질하여 제1원소 및 제2원소를 포함하는 제2 층을 형성하는 공정을 1사이클로 하고, 이 사이클을 복수 회 반복함으로써, 상기 기판 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 제1원소 및 제2원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-100935257-B1January 06, 2010도쿄엘렉트론가부시키가이샤Film formation method and apparatus for semiconductor process, and computer readable medium

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-101559816-B1October 14, 2015가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키, 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    KR-101611679-B1April 11, 2016가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    KR-101615419-B1April 25, 2016가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
    KR-101624395-B1May 25, 2016가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체