조정가능한 트리거 전압으로써 멀티핑거 반도체 디바이스들의 균일한 트리거를 위한 구조 및 회로 기술

Structure and circuit technique for uniform triggering of multifinger semiconductor devices with tunable trigger voltage

Abstract

다수의 핑거들에 걸쳐 동일한 트리거 전압을 제공하기 위해 멀티핑거(multi-finger) 반도체 디바이스의 개별 핑거들(40A-40E)에 외부 전류 주입 소스(45A, 45B, 45D 및 45E)가 제공된다. 예를 들어, 그 외부 주입 전류는 MOSFET의 바디 또는 싸이리스터의 게이트에 공급된다. 각각의 외부 전류 주입 소스(45A, 45B, 45D 및 45E)로부터의 공급되는 전류의 크기는, 각각의 핑거(40A-40E)가 동일한 트리거 전압을 갖도록 조정된다. 외부 전류 공급 회로는 다이오드들 또는 RC-트리거(triggered) MOSFET를 포함할 수 있다. 외부 전류의 컴포넌트들은 멀티핑거 반도체 디바이스의 모든 핑거들 전체에 걸쳐 원하는 미리결정된 트리거 전압을 달성하도록 조정될 수 있다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2006158802-A1July 20, 2006Hitachi, Ltd.Semiconductor device

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle