Method for Manufacturing Semiconductor Device

반도체 소자의 제조 방법

Abstract

본 발명은 필라 패턴의 일측벽에 콘택을 형성한 후, 콘택을 포함한 전면에 도전막을 형성한다. 상기 콘택을 포함한 일부 영역에 절연막을 증착한 다음에 노출된 도전막을 제거한 후, 폴리실리콘막을 형성함으로써, 후속 공정 중 열처리 공정을 이용하여 정션(junction) 형성 시, 상기 도전막과 폴리실리콘막의 계면에 발생하는 불량을 줄이고, 상기 폴리실리콘막의 제거 시 레지듀(residue) 발생을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20100030055-AMarch 18, 2010주식회사 하이닉스반도체플로팅 바디 트랜지스터를 포함하는 고집적 반도체 장치의 제조 방법

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle