Method of fabricating photoelectric device of group iii nitride semiconductor

3족 질화물 반도체의 광전소자 제조방법

Abstract

3족 질화물 반도체의 광전소자 제조방법은 기판 상에 제1의 3족 질화물 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1의 3족 질화물 반도체층 상에 패턴화된 에피택시얼 블로킹층을 형성하는 단계, 상기 패턴화된 에피택시얼 블로킹층 및 상기 에피택시얼 블로킹층에 의해 덮히지 않은 상기 제1의 3족 질화물 반도체 층 상에 제2의 3족 질화물 반도체층을 형성하고, 그런 후에 상기 패턴화된 에피택시얼 블로킹층을 제거하는 단계, 상기 제2의 3족 질화물 반도체층 상에 제3의 3족 질화물 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제3의 3족 질화물 반도체층 상에 도전층을 증착 또는 부착하는 단계 및 상기 제2의 3족 질화물 반도체층으로부터 상기 제3의 3족 질화물 반도체층 및 상기 도전층을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체의 광전소자 제조방법. 질화물 반도체, 광전소자, 발광체, 에피택시얼, 식각공정

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-100638880-B1October 27, 2006삼성전기주식회사Semiconductor laminated structure and method of manufacturing nitride semiconductor crystal substrate and nitride semiconductor device

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